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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F400BG-70 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| 封裝： | PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 509K |
| 代理商： | HY29F400BG-70 |
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31
Rev. 5.2/May 01
HY29F400
Notes:
1. The system may use CE# or OE# to toggle DQ[2] and DQ[6]. DQ[2] toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21. DQ[2] and DQ[6] Operation
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Sector Protect and Unprotect, Temporary Sector Unprotect
Notes:
1. Not 100% tested.
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VIDR
RY/BY#
WE#
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RESET#
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ID
0 or 5V
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RSP
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VIDR
0 or 5V
Figure 22. Temporary Sector Unprotect Timings
Erase
Complete
WE#
DQ[6]
DQ[2]
Enter Automatic
Erase
Erase
Erase
Suspend
Read
Enter Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Suspend
AC CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F400BG-90 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BR-45 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BR-55 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BR-70 | x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BR-90 | x8/x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F400BG90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400BG-90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BR45 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
| HY29F400BR-45 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HY29F400BR55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory |
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