參數(shù)資料
型號(hào)： HY27UF161G2M-TEP
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 64M X 16 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 36/48頁(yè)
文件大小： 476K
代理商： HY27UF161G2M-TEP
Rev 0.7 / Apr. 2005
36
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
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Figure 26: Reset Operation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27UF161G2M-TES 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF161G2M-VEP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF161G2M-VES 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF161G2M-VIB 3.3V Differential Transceiver 8-PDIP -40 to 85
HY27UF161G2M-VIP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
HY27UF161G2M-TES 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF161G2M-TIB 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF161G2M-TIP 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF161G2M-TIS 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF161G2M-TMB 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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