參數(shù)資料
型號(hào)： HY27UA1G1M
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存
文件頁(yè)數(shù)： 15/43頁(yè)
文件大小： 729K
代理商： HY27UA1G1M
Rev 0.5 / Oct. 2004
15
HY27UA(08/16)1G1M Series
HY27SA(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Note:
1. If t
ELWL
is less than 10ns, t
WLWH
WLWH
may be minimum 25ns.
Note: 1. Highest address depends on device density.
Figure 10. Read (A, B, C) Operation
Figure 11. Read Block Diagrams
CLE
ALE
I/O
RB
tBLBH1
(read)
00h/
01h/ 50h
Command
Code
Address Input
Data Output (sequentially)
Busy
CE
WE
RE
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half
Page)
Area C
(Spare)
Read A Command, x8 Devices
A9-A26(1)
A0-A7
Area C
(50h)
Read A Command, x16 Devices
Area A
(main area)
A9-A26(1)
A0-A7
Area A
Area C
(Spare)
Read C Command, x8/x16 Devices
A9-A26(1)
A0-A3 (x8)
A0-A2 (x16)
Area A/B
A4-A7 (x8), A3-A7 (x16) are don't care
Area A
(1st half Page)
Area C
(Spare)
Read B Command, x8 Devices
A9-A26(1)
A0-A7
Area B
(2nd half
Page)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27UAxxx 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SS08561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27SS561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27US16561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27US561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
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參數(shù)描述
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HY27UF081G2A-C 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
HY27UF081G2A-F(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
HY27UF081G2A-S(P) 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:
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