參數(shù)資料
型號(hào): HY229F800TR-12I
元件分類(lèi): EEPROM
英文描述: EEPROM
中文描述: EEPROM的
文件頁(yè)數(shù): 19/40頁(yè)
文件大小: 310K
代理商: HY229F800TR-12I
19
Rev. 4.0/Jan. 00
HY29F800
WE# = V
IH
. To initiate a write cycle, CE# and WE#
must be a logical zero while OE# is a logical one.
Power-Up Write Inhibit
If WE# = CE# = V
IL
and OE# = V
IH
during power
up, the device does not accept commands on the
rising edge of WE#. The internal state machine is
automatically reset to the Read mode on power-
up.
Sector Protection
Additional data protection is provided by the
HY29F800’s sector protect feature, described pre-
viously, which can be used to protect sensitive
areas of the Flash array from accidental or unau-
thorized attempts to alter the data.
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PDF描述
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