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參數資料
| 型號： | HY18CV8S-25 |
| 英文描述： | Electrically-Erasable PLD |
| 中文描述： | 電可擦除可編程邏輯器件 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 449K |
| 代理商： | HY18CV8S-25 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY18CV8S-30 | Electrically-Erasable PLD |
| HY18CV8S-35 | Electrically-Erasable PLD |
| HY2004 | 120 WATTS Power Amplifier |
| HY2262 | HY2262 |
| HY23V16202 | 1MX16/2MX8 BIT CMOS MASK ROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY18CV8S-30 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Electrically-Erasable PLD |
| HY18CV8S-35 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Electrically-Erasable PLD |
| HY18N20D | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:200V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY18N20T | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:200V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| HY18N50W | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:500V / 18A N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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