參數(shù)資料
型號(hào)： HUFA76609D3
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
中文描述： 10 A, 100 V, 0.168 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 209K
代理商： HUFA76609D3
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA76609D3, HUFA76609D3S Rev. B
SPICE Thermal Model
REV 23 August 1999
T76609d3
CTHERM1 th 6 9.50e-4
CTHERM2 6 5 2.40e-3
CTHERM3 5 4 3.90e-3
CTHERM4 4 3 4.10e-3
CTHERM5 3 2 5.60e-3
CTHERM6 2 tl 4.00e-2
RTHERM1 th 6 2.00e-2
RTHERM2 6 5 1.10e-1
RTHERM3 5 4 2.75e-1
RTHERM4 4 3 5.53e-1
RTHERM5 3 2 7.25e-1
RTHERM6 2 tl 7.56e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model t76609d3
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 9.50e-4
ctherm.ctherm2 6 5 = 2.40e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 3.90e-3
ctherm.ctherm4 4 3 = 4.10e-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 5.60e-3
ctherm.ctherm6 2 tl = 4.00e-2
rtherm.rtherm1 th 6 = 2.00e-2
rtherm.rtherm2 6 5 = 1.10e-1
rtherm.rtherm3 5 4 = 2.75e-1
rtherm.rtherm4 4 3 = 5.53e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 7.25e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 7.56e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
HUFA76609D3, HUFA76609D3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUFA76609D3S 10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76619D3 18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76619D3S 18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76619D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA
HUFA76629D3 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUFA76609D3S 功能描述:MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76609D3ST 功能描述:MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76609D3ST_F085 功能描述:MOSFET Trans N-CH 100V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76609D3ST_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HUFA76619D3 功能描述:MOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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