參數(shù)資料
型號： HUFA75631P3
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 33 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 251K
代理商： HUFA75631P3
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA75631SK8 Rev. B
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
AMBIENT TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
2
4
5
6
50
75
100
125
0
25
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
150
V
GS
= 10V, R
θ
JA
= 50
o
C/W
3
1
0.001
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JA
= 50
o
C/W
10
10
500
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
3
10
-5
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
100
V
GS
= 10V
R
θ
JA
= 50
o
C/W
10
1
10
2
HUFA75631SK8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUFA75631SK8 5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
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HUFA75637S3S 44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUFA75637S3ST 44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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