參數(shù)資料
型號： HUFA75617D3ST
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA
中文描述： 16 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 197K
代理商： HUFA75617D3ST
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA75617D3 Rev. B
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
9
15
50
75
100
125
150
025
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
175
3
6
12
18
0.1
1
2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
100
300
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-5
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 10V
200
HUFA75617D3
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PDF描述
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HUFA75623S3ST 功能描述:MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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HUFA75631S3S 功能描述:MOSFET 33a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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