參數(shù)資料
型號(hào)： HUF76619D3ST
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA
中文描述： 18 A, 100 V, 0.089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 215K
代理商： HUF76619D3ST
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF76619D3, HUF76619D3S Rev. B
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
5
10
15
20
25
50
75
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
100
125
150
175
0
I
D
,
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
200
10
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
HUF76619D3, HUF76619D3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF76619D3S Low Power 5V RS232 Dual Driver/Receiver with 0.1?μF Capacitors; Package: SO; No of Pins: 16; Temperature Range: -40?°C to 85?°C
HUF76629D3 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(20A, 100V, 0.054Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應(yīng)管)
HUF76629D3S 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(20A, 100V, 0.054Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應(yīng)管)
HUF76629D3 Single Supply RS232C Line Driver/Receiver(?????μ?o?RS232C ?o?????????¨???2???2??????)
HUF76629D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF76629D3 功能描述:MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76629D3S 功能描述:MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76629D3ST 功能描述:MOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76629D3ST_F085 功能描述:MOSFET N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 20A, 52m RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 晶體管極性: 汲極/源極擊穿電壓: 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 配置: 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
HUF76629D3ST_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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