參數(shù)資料
型號: HUF76413D3S
廠商: INTERSIL CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 20A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(20A, 60V, 0.056Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
中文描述: 20 A, 60 V, 0.061 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù): 6/9頁
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代理商: HUF76413D3S
6
HUF76413D3, HUF76413D3S
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 17. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 18. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
FIGURE 21. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 22. SWITCHING TIME WAVEFORM
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關PDF資料
PDF描述
HUF76413D3 20A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76413D3S RESISTOR NTWK-330 OHM,2% 8SIP,7RES SER,L
HUF76413P3 22A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(22A, 60V, 0.056Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
HUF76419D3 20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76419D3S 20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HUF76413D3ST 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76413D3T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251AA
HUF76413P3 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76413S3S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-263AB
HUF76419D3 功能描述:MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube