參數(shù)資料
型號： HUF76407D3
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(11A, 60V, 0.107Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
中文描述： 12 A, 60 V, 0.117 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 334K
代理商： HUF76407D3
3
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
5
10
15
25
50
75
100
125
150
175
0
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
200
10
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 5V
HUF76407D3, HUF76407D3S
相關PDF資料
PDF描述
HUF76407D3S 11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(11A, 60V, 0.107Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
HUF76407P3 12A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(12A, 60V, 0.107Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
HUF76409D3 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(17A, 60V, 0.071Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
HUF76409D3S 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(17A, 60V, 0.071Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
HUF76409P3 17A, 60V, 0.070 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET(17A, 60V, 0.070Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HUF76407D3S 功能描述:MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76407D3ST 功能描述:MOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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HUF76407DK8T 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76407DK8T_R4810 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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