參數(shù)資料
型號： HUF75925P3
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 11 A, 200 V, 0.275 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 196K
代理商： HUF75925P3
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75925P3, HUF75925D3ST Rev. B
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILIT Y
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
3
6
9
12
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
0.1
1
2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
10
-5
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
100
200
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-5
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 10V
HUF75925P3, HUF75925D3ST
相關PDF資料
PDF描述
HUF75939P3 22A, 200V, 0.125 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75939S3ST 22A, 200V, 0.125 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75945G3 RES,SIP,1KOHM,.6W,6PIN,/2
HUF75945P3 38A, 200V, 0.071 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75945S3ST 38A, 200V, 0.071 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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HUF75945G3 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75945P3 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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