參數(shù)資料
型號: HUF75617D3
廠商: INTERSIL CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFETs(16A, 100V, 0.090 Ω,N溝道超快功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述: 16 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大小: 240K
代理商: HUF75617D3
6
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORMS
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. SWITCHING TIME WAVEFORM
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUF75617D3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75617D3S 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFETs(16A, 100V, 0.090 Ω,N溝道超快功率MOS場效應(yīng)管)
HUF75617D3 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75617D3S 16A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75617D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA
HUF75623P3 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF75617D3S 功能描述:MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75617D3ST 功能描述:MOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75623P3 功能描述:MOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75623S3 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75623S35T 制造商:Intersil Corporation 功能描述: