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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HSK110 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 18K |
| 代理商： | HSK110 |
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
-4
10
-6
10
-8
10
-10
10
-12
Forward voltage V (V)
F
F
10
-2
1.0
10
10
1.0
10
C
Reverse voltage V (V)
f=1MHz
40
-1
10
10
10
1.0
10
10
Forward current I (A)
F
f
-1
-2
-4
10
-3
-2
-1
10
2
10
f=100MHz
Fig.1 Forward current Vs.
Forward voltage
Fig.2 Capacitance Vs.
Reverse voltage
Fig.3 Forward resistance
Vs. Forward current
HSK110
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HSK110 | Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch(用于調(diào)諧開(kāi)關(guān)的平面外延PIN二極管) |
| HSK120 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching |
| HSK122 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
| HSK277 | |
| HSK277 | Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch(用于調(diào)諧開(kāi)關(guān)的平面外延PIN二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HSK1118 | 制造商:HSMC 制造商全稱:HSMC 功能描述:Silicon N Channel MOS Type |
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| HSK120(TR-S-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HSK120-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:HSK120-E |
| HSK122 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching |
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