參數(shù)資料
型號： HSE11
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： GaAs Schottky Barrier Diode for SHF Mixer(用于SHF混頻器的肖特基勢壘二極管)
中文描述： 砷化鎵肖特基二極管混頻器的超高頻（用于超高頻混頻器的肖特基勢壘二極管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 27K
代理商： HSE11
HSE11
3
Reverse voltage V (V)
0
2
8
10
–12
10
–13
10
–11
10
10
–10
10
–9
R
R
–8
6
4
10
Fig.2 Reverse current Vs. Reverse voltage
Reverse voltage V (V)
1.0
10
10
1.0
10
C
–2
10
f = 1MHz
–1
–1
Fig.3 Capacitance Vs. Reverse voltage
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PDF描述
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參數(shù)描述
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HSE222MAQBRAKR 功能描述:CAP CER 2200PF 500V 20% RADIAL RoHS:是 類別:電容器 >> 陶瓷 系列:H 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點(diǎn):- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:-
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