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參數資料
| 型號： | HSB226YP |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Diode |
| 中文描述： | 硅肖特基二極管 |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | HSB226YP |
HSB226YP
3
Main Characteristic
Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage
Fig.2 Reverse current Vs. Reverse voltage
Forward voltage V (V)
F
F
R
R
Reverse voltage V (V)
Fig.3 Capacitance Vs. Reverse voltage
Reverse voltage V (V)
C
10
10
-8
10
10
10
-4
-7
-6
-5
Ta=25
°
C
Ta=75
°
C
Pulse test
1.0
0
0.8
10
-2
10
-4
10
-6
0.2
0.4
0.6
10
-8
10
10
-3
10
-5
10
-1
10
0
10
1
-7
Ta=25
°
C
Ta=7
°
C
0.1
10
10
0.1
1.0
1.0
f=1MHz
0
10
30
40
20
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| HSB23E | 制造商:JLWORLD 制造商全稱:JLWORLD 功能描述:SPEAKER SOUND GENERATORS |
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| HSB23G | 制造商:JLWORLD 制造商全稱:JLWORLD 功能描述:SPEAKER SOUND GENERATORS |
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