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參數資料
| 型號： | HSB0104YP |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching |
| 中文描述： | 硅肖特基二極管高速開關 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | HSB0104YP |
HSB0104YP
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°
C)
*1
Item
Symbol
Value
Unit
Repetitive peak reverse
voltage
V
RRM
40
V
Average rectified current
I
o
I
FSM
100
mA
Non-Repetitive peak
forward surge current
*2
3
A
Junction temperature
Tj
125
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Per one device
Note:
2. 10msec sine wave 1 pulse
Tstg
-55 to +125
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Forward voltage
V
F
I
R
C
—
—
0.58
V
I
F
= 100 mA
V
R
= 40V
V
R
= 0V, 1=1MHz
Reverse current
—
—
50
μ
A
Capacitance
—
20
—
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| HSB123 | Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching(用于高速開關的平面外延PIN二極管) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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