參數(shù)資料
型號(hào): HS2330C
廠(chǎng)商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: HS2330C
中文描述: HS2330C
文件頁(yè)數(shù): 6/7頁(yè)
文件大小: 216K
代理商: HS2330C
蘇州華芯微電子有限公司
phone: 0512-68256888
HuaXin Micro-electronics Co., Ltd
email:h-sun@h-sun.com
url: www.china-chip.com
類(lèi)型
頻率
電容器值(
C1=C2
/ Pf
XT 455kHz 68
~100
XT 2MHz 15
~68
HS 4MHz 15
~68
HS 8MHz 10
~68
HS 16MHz 10
~22
6
頁(yè)
7
頁(yè)
Ver. 040831
類(lèi)型
頻率
C1/pF C2/pF
LP 32kHz 15 15
100kHz 15
30 30
47
200kHz 15
30 15
82
XT 100kHz 15
30 200
300
200kHz 15
30 100
200
455kHz 15
30 15
100
1MHz
15
30 15
30
2MHz
15
30 15
30
4MHz
15
47 15
47
HS 4MHz
15
30 15
82
8MHz
15
30 15
82
20MHz
15
30 15
82
對(duì) 32kHz 晶體振蕩器,當(dāng) VDD>4.5V 時(shí),廠(chǎng)家推薦值是 C1=C2=30pF。
■復(fù)位電路
HS2330C 芯片有幾種不同的復(fù)位方式:
① 上電復(fù)位 POR
② 在正常工作情況下,置 MCLR 引腳為低電平復(fù)位
③ 在休眠期間,置 MCLR 引腳為低電平復(fù)位
④ 監(jiān)視定時(shí)器 WDT 超時(shí)復(fù)位
用不同復(fù)位方式復(fù)位后 TO/PD 的狀態(tài)表
TO PD 復(fù) 位 原 因
0 0 WDT 喚醒休眠狀態(tài)下的 CPU
0 1 在非休眠狀態(tài)下 WDT 超時(shí)復(fù)位
1 0 MCLR 喚醒休眠狀態(tài)下的 CPU
1 1 上電復(fù)位
u u MCLR 輸入保持低電平狀態(tài)
所有寄存器復(fù)位狀態(tài)條件表
地址
寄存器名
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1
D0
FSR
的內(nèi)容尋址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
8
位實(shí)時(shí)時(shí)鐘
/
計(jì)數(shù)器
程序計(jì)數(shù)器
PC
的低
8
PA2 PA2 PA0 TO PD Z DC
C
間接數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器地址指針
— — — RA3 RA2 RA1
RA0
RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1
RB0
8
位工作寄存器
上電復(fù)位值
MCLR & WDT
復(fù)
位值
---- ----
uuuu uuuu
1111 1111
000 uuu
00h
01h
02h
03h
INDF
TMRO
PCL
STATUS
---- ----
0000 0000
1111 1111
0001 1000
04h
05h
FSR
PORTA
1000 0000
uuuu uuuu
----
uuuu
---- xxxx
06h
PORTB
xxxx xxxx
uuuu uuuu
W
xxxx xxxx
uuuu uuuu
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