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參數(shù)資料
| 型號： | HS1-81C55RH |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
| 中文描述： | 256 X 8 MULTI-PORT SRAM, 250 ns, CDIP40 |
| 文件頁數(shù)： | 9/14頁 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | HS1-81C55RH |
9
HS-81C55RH, HS-81C56RH
Metallization Topology
DIE DIMENSIONS:
222 x 202 x 14
±
1mil (Die Thickness)
METALLIZATION:
Type: AlSi
Thickness: 11k
±
2k
GLASSIVATION:
Type: SiO2
Thickness: 8k
±
1k
Metallization Mask Layout
HS-81C55RH, HS-81C56RH
TIMER OUT (6)
IO/M (7)
CE OR CE (8)
A
A
A
A
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
A
G
P
P
P
P
P
P
RD (9)
WR (10)
ALE (11)
AD0 (12)
AD1 (13)
AD2 (14)
(34) PB5
(33) PB4
(32) PB3
(31) PB2
(30) PB1
(29) PB0
(28) PA7
(27) PA6
Spec Number
518056
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HS1-81C56RH | Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
| HS-81C55RH | Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
| HS-81C56RH | Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
| HS9-81C55RH | Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
| HS9-81C56RH | Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HS1-81C55RH-8 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
| HS1-81C55RH-Q | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
| HS1-81C56RH | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
| HS1-81C56RH-8 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
| HS1-81C56RH-Q | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM |
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