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參數(shù)資料
| 型號： | HRW0202 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
| 中文描述： | 硅肖特基二極管整頓 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | HRW0202 |
HRW0202A
4
Main Characteristic
0.10
0.05
0.15
0.25
0.20
0.04
0.02
0.06
0.08
0.10
0.05
0.15
0.25
0.20
0.04
0.02
0.06
0.08
0
Forward current
@ @
IF
@
(
A)
Fig4. F
orward power dissipation
Vs. Forward current
0
0
0
Fig5.
Reverse power dissipation
Vs. Reverse voltage
0
10
20
5
15
25
F
Reverse voltage
@ @
VR
@
(
V)
R
Sin(
=
180°)
D=1/3
D=1/2
Ambient temperature Ta ( °C)
A
@
(
Fig.6 Average rectified current Vs. Ambient temperature
0
50
100
25
75
125
-25
VR=VRRM/2
Tj =125°C
Rth(j-a)=350°C/W
Per one device
D=1/6
0.04
0.08
0.06
0.1
D=1/6
DC
t
T
0A
D=
\
T
t
Tj =25°C
0.02
t
T
0V
D=
\
T
t
Tj =125°C
D=1/2
D=2/3
Sin(
=
180°)
D=5/6
0.10
0.12
D=1/2
D=1/3
Sin(
=
180°)
DC
0
Ambient temperature Ta ( °C)
A
@
(
Fig.7 Average rectified current Vs. Ambient temperature
0
50
100
25
75
125
-25
VR=VRRM/2
Tj =125°C
Rth(j-a)=350°C/W
Two device total
D=1/6
D=1/2
D=1/3
Sin(
=
180°)
DC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HRW0203A | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管) |
| HRW0203B | |
| HRW0302A | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管) |
| HRW0502A | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
| HRW0503 | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HRW0202A | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
| HRW0202A-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:HRW0202A-E |
| HRW0202ATL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Diode Schottky 20V 0.2A 3-Pin MPAK T/R |
| HRW0202B | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying |
| HRW0202B(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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