參數(shù)資料
型號： HP4410DYT
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO
中文描述： 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 82K
代理商： HP4410DYT
8-6
FIGURE 7. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs
GATE TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 9. GATE THRESHOLD VOLTAGE VARIANCE
vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 10. SINGLE PULSE POWER CAPABILITY vs PULSE
WIDTH
FIGURE 11. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1
10
50
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
1.4
0.2
I
S
,
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= 10A
0
0.02
0.04
0.08
0.06
0.10
D
,
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
-25
V
G
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
D
= 250
μ
A
0
25
50
75
100
125
-50
150
0.4
0.2
t, PULSE WIDTH (s)
P
0
0.01
20
40
60
80
0.10
1.00
10.00
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
30
1
2
0.1
1
10
-1
Z
θ
J
,
T
0.01
10
-2
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE = 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
10
-4
10
-3
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
T
J
= P
D
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
SURFACE MOUNTED
P
DM
t
1
t
2
HP4410DY
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PDF描述
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