參數(shù)資料
型號(hào)： HN7G10FE
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Power Management Switch Applications
中文描述： 電源管理開關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 503K
代理商： HN7G10FE
HN7G10FE
2007-11-01
3
Q1 (Transistor)
I
C
– V
BE
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
C
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
Collector current I
C
(mA)
V
BE (sat)
– I
C
B
V
B
Collector-base voltage V
CB
(V)
C
ob
– V
CB
C
o
Collector current I
C
(mA)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE (sat)
– I
C
C
V
C
50
0.1
3
500
10
1
0.3
30
Common emitter
IC/IB
=
20
Ta
=
25°C
30
10
0.1
5
3
1
0.5
0.3
100
300
0.0
1
0.8
0.4
1.2
Common emitter
VCE
=
2 V
Ta
=
100°C
25
25
300
1000
1.6
500
30
100
50
3
10
5
IE
=
0 A
f
=
1 MHz
Ta
=
25°C
100
0.1
3
100
10
1
0.3
30
50
30
1
10
5
3
0
5
3
4
1
2
0
0.6
0.2
Common emitter
Ta
=
25°C
0.8
IB
=
0.5 mA
6
0.4
1.0
5
4
3
2
1
10000
0.1
3
1000
10
1
0.3
30
5000
3000
10
1000
500
300
100
50
30
100
300
Common emitter
VCE
=
2 V
Ta
=
100°C
25
25
1000
0.1
3
1000
10
1
0.3
30
Common emitter
IC/IB
=
20
500
Ta
=
100°C
25
300
1
25
100
50
30
10
5
3
100
300
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