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參數(shù)資料
| 型號： | HN7G09FE |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Power Management Switch Applications, Inverter Circuit Applications, Driver Circuit Applications and Interface Circuit Applications |
| 中文描述： | 電源管理開關(guān)應(yīng)用，逆變電路的應(yīng)用，驅(qū)動電路的應(yīng)用和接口電路的應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 256K |
| 代理商： | HN7G09FE |
HN7G09FE
2007-11-01
4
Q1 (Transistor)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN7G10FE | Power Management Switch Applications |
| HN8050 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications |
| HN8050C | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications |
| HN8050D | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications |
| HN8550 | PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN7G09FE(TE85L,F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| HN7G10FE | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Applications |
| HN8050 | 制造商:SEMTECH 制造商全稱:Semtech Corporation 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications |
| HN8050C | 制造商:SEMTECH 制造商全稱:Semtech Corporation 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications |
| HN8050D | 制造商:SEMTECH 制造商全稱:Semtech Corporation 功能描述:NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications |
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