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參數(shù)資料
| 型號： | HN58S256AT-20 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 k EEPROM (32-kword x 8-bit) |
| 中文描述： | 256畝的EEPROM（32 KWord的× 8位） |
| 文件頁數(shù)： | 5/17頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | HN58S256AT-20 |
HN58S256A Series
Capacitance
(Ta = 25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input capacitance*
1
Cin
—
—
6
pF
Vin = 0 V
Output capacitance*
1
Note:
1. This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
Cout
—
—
12
pF
Vout = 0 V
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
= 2.2 to 3.6 V)
Test Conditions
Input pulse levels: 0.4 V to 1.9 V (V
CC
≤
2.7V), 0.4V to 2.4 V (V
CC
> 2.7 V)
Input rise and fall time:
≤
5 ns
Input timing reference levels: 0.8, 1.8 V
Output load: 1TTL Gate +100 pF
Output reference levels: 1.1 V, 1.1 V (V
CC
≤
2.7V),1.5 V, 1.5 V (V
CC
> 2.7 V)
Read Cycle
HN58S256A
-15
-20
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Test conditions
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
=
OE
= V
IL
,
WE
= V
IH
CE
= V
IL
,
WE
= V
IH
Address to output delay
CE
to output delay
OE
to output delay
t
ACC
t
CE
t
OE
t
OH
t
DF
—
150
—
200
ns
—
150
—
200
ns
10
80
10
100
ns
Address to output hold
OE
(
CE
) high to output float*
1
0
—
0
—
ns
0
100
0
100
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN58S256AT-15 | 256 k EEPROM (32-kword x 8-bit) |
| HN58S65AI | 8192-word ×8-bit Electrically Erasable and Programmable CMOS ROM(8k字×8位 EEPROM) |
| HN58S65AT-15 | 64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function |
| HN58S65A | 64 k EEPROM (8-kword ×8-bit)(64 k EEPROM (8k字 ×8位)) |
| HN58V1001P-25 | 1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN58S256ATI-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EEPROM |
| HN58S256ATI-20 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EEPROM |
| HN58S65A | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function |
| HN58S65AISERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EEPROM |
| HN58S65ASERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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