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參數(shù)資料
| 型號： | HN29W6484AH03TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲器控制器） |
| 文件頁數(shù)： | 53/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 435K |
| 代理商： | HN29W6484AH03TE |
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HN29W6484AH03TE-1
53
DC Characteristics-2
(Ta = 0 to +70°C, V
CC
= 5 V ± 10%)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input voltage (CMOS level)
V
IHC
V
ILC
V
IHC
V
ILC
0.7
×
V
CC
—
–0.3
V
CC
+ 0.3 V
0.3
×
V
CC
V
V
CC
+ 0.3 V
0.6
—
—
Input voltage (TTL level)
2.4
—
—
–0.3
—
V
Schmitt circuit (CMOS level)*
1
V
TC+
V
TC
–
V
TC
*
V
OH
(2.8)
—
4.0
V
V
CC
= 5 V
1.1
—
(2.4)
V
2
(0.3)
—
—
V
Output voltage (CMOS)
(2 mA)*
3
V
CC
– 0.4 —
—
V
I
OH
= –4 mA
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 4 mA
I
OH
= –8 mA
Output voltage (CMOS)
(3 mA)*
3
V
CC
– 0.4 —
—
V
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 8 mA
I
OH
= –6 mA
Output voltage (CMOS)
(2 mA/3 mA)*
3
V
CC
– 0.4 —
—
V
V
OL
V
OH
—
—
0.4
V
I
OL
= 8 mA
I
OH
= –3 mA
Output voltage (CMOS)
(1 mA/2 mA)*
3
V
CC
– 0.4 —
—
V
V
OL
I
LI
I
LO
–I
PU
–I
PU
I
SP1
—
—
0.4
V
I
OL
= 4 mA
—
Input leakage current*
4
—
—
1
μA
Output leakage current*
4
—
—
220/(23) 570/(7.9) μA/(k
) V
IN
= GND
45/(110) 90/(50)
1
μA
V
OUT
= high impedance
Pull-up current/(Resistivity)
60/(92)
Pull-up current/(Resistivity)*
5
10/(550)
μA/(k
) V
IN
= GND
mA
CMOS level (control
signal = V
– 0.2)
(In Memory card mode
and I/O card mode)
Sleep/standby current*
8
—
(0.5)
(1.0)
Sector read current*
6, 8
I
CCR
(DC)
—
(40)
(70)
mA
CMOS level
(control signal = V
CC
–
0.2)
I
CCR
(Peak) —
I
CCW
(DC)
(80)
(120)
mA
Sector write current*
7, 8
—
(45)
(75)
mA
CMOS level
(control signal = V
CC
–
0.2)
I
CCW
(Peak) —
(80)
(120)
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29W6484DH08TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| HN29WB800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN462532 | 4096-word X 8-bit UV Erasable and Programmable Read Only Memory |
| HN462716 | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29W6484AH03TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W64AH05TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W8411SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29WB800 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800FP-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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