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參數(shù)資料
| 型號： | HN29W6411A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64M AND type Flash Memory(64M AND型閃速存儲器) |
| 中文描述： | 6400 AND型快閃記憶體（64米及型閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 2/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | HN29W6411A |
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HN29W6411A Series
2
Low power dissipation:
I
CC
= 50 mA (max) (Read) (V
CC
= 3.3 V)
I
CC
= 70 mA (max) (Read) (V
CC
= 5 V)
I
CC
= 50
μ
A (max) (Standby) (V
CC
= 3.3 V)
I
CC
= 100
μ
A (max) (Standby) (V
CC
= 5 V)
I
CC
= 40 mA (max) (Erase/Program) (V
CC
= 3.3 V)
I
CC
= 60 mA (max) (Erase/Program) (V
CC
= 5 V)
I
CC
= 5
μ
A (max) (Deep standby) (V
CC
= 3.3 V)
I
CC
= 10
μ
A (max) (Deep standby) (V
CC
= 5 V)
Error correction (more than 1 bit error correction per each sector read) is required for data reliability.
Ordering Information
Type No.
Available sector
Package
HN29W6411ATT-50
More than 16,057 sectors
12.7
×
19.68 mm
2
0.8 mm pitch
48-pin plastic TSOP II (TTP-48/40D)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29W6484AH03TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| HN29W6484DH08TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| HN29WB800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN462532 | 4096-word X 8-bit UV Erasable and Programmable Read Only Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29W6411ASERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29W6411ATT-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|AND FLASH|8448KX8|CMOS|TSOP|48PIN|PLASTIC |
| HN29W6411TT-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29W6484AH03TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W64AH05TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
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