參數(shù)資料
型號(hào)： HMC564
廠(chǎng)商： HITTITE MICROWAVE CORP
元件分類(lèi)： 放大器
英文描述： 7000 MHz - 13500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
封裝： 1.96 X 0.98 MM, 0.10 MM HEIGHT, DIE-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 229K
代理商： HMC564
L
O
W
N
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A
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IF
IE
RS
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IP
1
1 - 81
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
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Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage (Vdd1, Vdd2)
+3.5 Vdc
RF Input Power (RFIN)(Vdd = +3.0 Vdc)
+5 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T= 85 °C)
(derate 12.97 mW/°C above 85 °C)
1.17 W
Thermal Resistance
(channel to die bottom)
77 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-55 to +85 °C
Vdd (Vdc)
Idd (mA)
+2.5
49
+3.0
51
+3.5
53
Typical Supply Current vs. Vdd
Note: Amplifier will operate over full voltage ranges shown
above.
NOTES:
1. ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM]
2. DIE THICKNESS IS .004”
3. TYPICAL BOND IS .004” SQUARE
4. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD
5. BOND PAD METALLIZATION: GOLD
6. BACKSIDE METAL IS GROUND.
7. CONNECTION NOT REQUIRED FOR UNLABELED BOND PADS.
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
Die Packaging Information [1]
Standard
Alternate
GP-2 (Gel Pack)
[2]
[1] Refer to the “Packaging Information” section for die
packaging dimensions.
[2] For alternate packaging information contact Hittite
Microwave Corporation.
HMC564
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE
AMPLIFIER, 7 - 13.5 GHz
v00.0206
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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