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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HMC519 |
| 廠商： | 美國訊泰微波有限公司上海代表處 |
| 英文描述： | GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 18 - 32 GHz |
| 中文描述： | GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，18 - 32千兆赫 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 343K |
| 代理商： | HMC519 |
A
1
1 - 178
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Pad Descriptions
Pad Number
Function
Description
Interface Schematic
1
RFIN
This pad is AC coupled and matched to
50 Ohms from 18 - 32 GHz.
2, 3, 4
Vdd1, 2, 3
Power Supply Voltage for the amplifier. External bypass
capacitors of 100 pF and 0.1 μF are required.
5
RFOUT
This pad is AC coupled and matched to
50 Ohms from 18 - 32 GHz.
6, 7, 8
G3, 2, 1
These pads must be connected to RF/DC
ground for proper operation.
Die Bottom
GND
Die Bottom must be connected to RF/DC ground.
Assembly Diagram
Note: G1, G2 and G3 must be connected to RF/DC ground.
HMC519
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE
AMPLIFIER, 18 - 32 GHz
v00.0904
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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