參數(shù)資料
型號： HMC516
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 7 - 17 GHz
中文描述： GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，7 - 17千兆赫
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 326K
代理商： HMC516
A
1
1 - 159
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20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
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Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage (Vdd1, Vdd2, Vdd3)
+4 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vdd = +3.0 Vdc)
+5 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T= 85 °C)
(derate 14 mW/°C above 85 °C)
1.25 W
Thermal Resistance
(channel to die bottom)
71 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-55 to +85 °C
ESD Sensitivity (HBM)
Class 1A
Vdd (Vdc)
Idd (mA)
+2.5
61
+3.0
65
+3.5
69
Typical Supply Current vs. Vdd
Note: Amplifier will operate over full voltage ranges shown
above.
NOTES:
1. ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM]
2. DIE THICKNESS IS .004”
3. TYPICAL BOND IS .004” SQUARE
4. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD
5. BOND PAD METALLIZATION: GOLD
6. BACKSIDE METAL IS GROUND.
7. CONNECTION NOT REQUIRED FOR UNLABELED BOND PADS.
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
Die Packaging Information
[1]
Standard
Alternate
GP-1
[2]
[1] Refer to the “Packaging Information” section for die
packaging dimensions.
[2] For alternate packaging information contact Hittite
Microwave Corporation.
HMC516
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE
AMPLIFIER, 7 - 17 GHz
v00.0904
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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