參數(shù)資料
型號： HMC499LC4
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： SMT PHEMT MEDIUM POWER AMPLIFIER, 21 - 32 GHz
中文描述： 貼片PHEMT器件介質(zhì)功率放大器，21 - 32千兆赫
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 354K
代理商： HMC499LC4
A
5
5 - 521
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Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage (Vdd1, Vdd2, Vdd3)
+5.5 Vdc
Gate Bias Voltage (Vgg)
-4.0 to 0 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vdd = +5.0 Vdc)
+20 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T= 85 °C)
(derate 25 mW/°C above 85 °C)
2.25 W
Thermal Resistance
(channel to ground paddle)
40 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
Vdd (Vdc)
Idd (mA)
+4.5
193
+5.0
200
+5.5
207
Typical Supply Current vs. Vdd
Note: Amplifier will operate over full voltage ranges shown
above. Vgg adjusted to achieve Idd= 200 mA at +5.0V.
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: ALUMINA.
2. LEAD AND GROUND PADDLE PLATING: GOLD FLASH OVER NICKEL.
3. DIMENSIONS ARE IN INCHES (MILLIMETERS).
4. LEAD SPACING TOLERANCE IS NON-CUMULATIVE.
5. PACKAGE WARP SHALL NOT EXCEED 0.05MM DATUM – C –
6. ALL GROUND LEADS AND GROUND PADDLE MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.
HMC499LC4
SMT PHEMT MEDIUM
POWER AMPLIFIER, 21 - 32 GHz
v00.1204
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
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PDF描述
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