參數(shù)資料
型號： HMC499
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 21 - 32 GHz
中文描述： GaAs PHEMT MMIC中功率放大器，21 - 32千兆赫
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： HMC499
MICROWAVE CORPORATION
1 - 123
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A
1
HMC499
GaAs PHEMT MMIC MEDIUM
POWER AMPLIFIER, 21 - 32 GHz
v00.0903
Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage (Vdd1, Vdd2, Vdd3)
+5.5 Vdc
Gate Bias Voltage (Vgg)
-4.0 to 0 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vdd = +5.0 Vdc)
+20 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T= 85 °C)
(derate 25 mW/°C above 85 °C)
2.25 W
Thermal Resistance
(channel to die bottom)
40 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-55 to +85 °C
Vdd (Vdc)
Idd (mA)
+4.5
193
+5.0
200
+5.5
207
+3.0
191
+3.5
200
+4.0
208
Typical Supply Current vs. Vdd
Note: Amplifier will operate over full voltage ranges shown above. Vgg
adjusted to achieve Idd= 200 mA at +5.0V and +3.5V.
NOTES:
1. ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MM]
2. DIE THICKNESS IS .004”
3. TYPICAL BOND IS .004” SQUARE
4. BACKSIDE METALLIZATION: GOLD
5. BOND PAD METALLIZATION: GOLD
6. BACKSIDE METAL IS GROUND.
7. CONNECTION NOT REQUIRED FOR UNLABELED BOND PADS.
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