參數(shù)資料
型號(hào)： HMC451LC3
廠商： 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs PHEMT MMIC MEDIUM POWER AMPLIFIER, 5 - 20 GHz
中文描述： GaAs PHEMT MMIC中功率放大器，5 - 20千兆赫
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
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代理商： HMC451LC3
A
5
5 - 249
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Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage (Vdd)
+5.5 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vdd = +5.0 Vdc)
+10 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T = 85 °C)
(derate 10 mW/°C above 85 °C)
0.9 W
Thermal Resistance
(channel to ground paddle)
100 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
Vdd (V)
Idd (mA)
+4.5
111
+5.0
114
+5.5
116
Note: Amplifier will operate over full voltage range shown above
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: ALUMINA
2. LEAD AND GROUND PADDLE PLATING: 30-80 MICROINCHES GOLD OVER 50
MICROINCHES MINIMUM NICKEL
3. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].
4. LEAD SPACING TOLERANCE IS NON-CUMULATIVE
5. PACKAGE WARP SHALL NOT EXCEED 0.05mm DATUM -C-
6. ALL GROUND LEADS AND GROUND PADDLE MUST BE SOLDERED
TO PCB RF GROUND.
Typical Supply Current vs. Vdd
HMC451LC3
GaAs PHEMT MMIC MEDIUM
POWER AMPLIFIER, 5 - 20 GHz
v00.0605
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
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PDF描述
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