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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HMC409LP4E |
| 廠商： | 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處 |
| 英文描述： | GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz |
| 中文描述： | 砷化鎵的InGaP HBT 1瓦功率放大器，3月3日至3月8號(hào)吉赫 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 422K |
| 代理商： | HMC409LP4E |
A
5
5 - 172
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20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
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Pin Number
Function
Description
Interface Schematic
1-3, 5, 6, 8, 10 -14,
18, 19, 21, 22, 24
N/C
No conection required. These pins may be connected to
RF/DC ground without affecting performance.
4
RFIN
This pin is AC coupled and matched to 50 Ohms from
3.3 - 3.8 GHz.
7
Vpd
Power control pin. For maximum power, this pin should be
connected to 5.0V thru a 56 Ω resistor. A high-voltage or
small resistor is not recommended for lower idle current.
This voltage can be reduced or the resistor increased.
9
Vbias
DC power supply pin for bias circuitry
15, 16, 17
RFOUT
RF output and DC bias for the output stage.
20
VCC2
Power supply voltage for the second amplifier stage. Exter-
nal bypass capacitors and pull up choke are required as
shown in the application schematic.
23
VCC1
Power supply voltage for the first amplifier stage. External
bypass capacitors are required as shown in the application
schematic.
GND
Ground: Backside of package has exposed metal ground
slug that must be connected to ground thru a short path.
Vias under the device are required.
Pin Descriptions
HMC409LP4
/
409LP4E
GaAs InGaP HBT 1 WATT
POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
v01.0705
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