參數(shù)資料
型號(hào)： HMC407MS8G
廠商： 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 5.0 - 7.0 GHz
中文描述： 砷化鎵的InGaP HBT MMIC功率放大器，5.0 - 7.0吉赫
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： HMC407MS8G
MICROWAVE CORPORATION
8 - 153
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A
8
HMC407MS8G
GaAs InGaP HBT MMIC
POWER AMPLIFIER, 5.0 - 7.0 GHz
v01.1202
Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: LOW STRESS INJECTION MOLDED
PLASTIC SILICA AND SILICON IMPREGNATED.
2. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY
3. LEADFRAME PLATING: Sn/Pb SOLDER
4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].
5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.
6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.
7. ALL GROUND LEADS AND GROUND PADDLE MUST BE SOLDERED
TO PCB RF GROUND.
Gain, Power & Quiescent
Supply Current vs. Vpd @ 5.8 GHz
5
10
15
20
25
30
0
50
100
150
200
250
2.5
3
3.5
4
4.5
5
P1dB
Psat
Gain
Icq
G
I
Vpd (Vdc)
Collector Bias Voltage (Vcc1, Vcc2)
+5.5 Vdc
Control Voltage (Vpd)
+5.5 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vs = Vpd = +5.0 Vdc)
+20 dBm
Junction Temperature
150 °C
Continuous Pdiss (T = 85 °C)
(derate 31 mW/°C above 85 °C)
2 W
Thermal Resistance
(junction to ground paddle)
32 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HMC409LP4E GaAs InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 3.3 - 3.8 GHz
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參數(shù)描述
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