參數(shù)資料
型號(hào): HMC358MS8G
廠商: 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述: MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 5.8 - 6.8 GHz
中文描述: MMIC VCO的瓦特/緩沖放大器,五月八日至六月8號(hào)吉赫
文件頁數(shù): 2/6頁
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代理商: HMC358MS8G
MICROWAVE CORPORATION
15 - 3
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V
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5.8
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1
2
3
4
5
6
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10
Vcc= 2.75V
Vcc= 3.0V
Vcc= 3.25V
O
TUNING VOLTAGE (VOLTS)
0
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100
150
200
250
300
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+25 C
+85 C
-40 C
S
TUNING VOLTAGE (VOLTS)
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+25 C
+85 C
-40 C
O
TUNING VOLTAGE (VOLTS)
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
1
2
3
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6
7
8
9
10
10 kHz offset
100 kHz offset
S
TUNING VOLTAGE (VOLTS)
Frequency vs. Tuning Voltage, T= 25°C
HMC358MS8G
MMIC VCO w/ BUFFER
AMPLIFIER, 5.8 - 6.8 GHz
v02.0202
-150
-140
-130
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
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3
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5
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7
+25 C
S
OFFSET FREQUENCY (Hz)
Sensitivity vs. Tuning Voltage, Vcc= +3V
Typical SSB Phase Noise @ Vtune= +5V
Phase Noise vs. Tuning Voltage
5.6
5.8
6
6.2
6.4
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6.8
7
7.2
0
1
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+25 C
+85 C
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O
TUNING VOLTAGE (VOLTS)
Frequency vs. Tuning Voltage, Vcc= +3V
Output Power vs.
Tuning Voltage, Vcc= +3V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HMC362 600,000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
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參數(shù)描述
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HMC358MS8G_08 制造商:HITTITE 制造商全稱:Hittite Microwave Corporation 功能描述:MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 5.8 - 6.8 GHz
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HMC35DRAH 功能描述:CONN EDGECARD 70POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.125"(3.18mm) 行數(shù):2 間距:0.156"(3.96mm) 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔,直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點(diǎn)類型::環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙
HMC35DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 70POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.125"(3.18mm) 行數(shù):2 間距:0.156"(3.96mm) 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔,直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點(diǎn)類型::環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙