參數(shù)資料
型號： HMC313
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
元件分類： FPGA
英文描述： 600000 SYSTEM GATE 2.5 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 砷化鎵微波單片集成電路的InGaP HBT寬帶放大器增益模塊，直流- 6.0吉赫
文件頁數(shù)： 4/6頁
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代理商： HMC313
MICROWAVE CORPORATION
8 - 71
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A
8
HMC313
GaAs InGaP HBT MMIC BROADBAND
AMPLIFIER GAIN BLOCK, DC - 6.0 GHz
v02.0703
Absolute Maximum Ratings
Collector Bias Voltage (Vcc)
+5.5 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vcc = +5.0 Vdc)
+20 dBm
Junction Temperature
150 °C
Continuous Pdiss (T = 85
°
C)
(derate 3.99 mW/
°
C above 85
°
C)
0.259 W
Thermal Resistance
(junction to lead)
251 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: LOW STRESS INJECTION MOLDED
PLASTIC SILICA AND SILICON IMPREGNATED.
2. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY
3. LEADFRAME PLATING: Sn/Pb SOLDER
4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].
5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.
6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.
7. ALL GROUND LEADS MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.
Absolute Maximum Ratings
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PDF描述
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