參數(shù)資料
型號(hào)： HMC308
廠(chǎng)商： 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GENERAL PURPOSE 100 mW GaAs MMIC AMPLIFIER, 0.8 - 3.8 GHz
中文描述： 一般用途100毫瓦砷化鎵MMIC放大器，0.8 - 3.8吉赫
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 261K
代理商： HMC308
MICROWAVE CORPORATION
8 - 46
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A
8
HMC308
Absolute Maximum Ratings
Outline Drawing
GENERAL PURPOSE 100 mW GaAs
MMIC AMPLIFIER, 0.8 - 3.8 GHz
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: LOW STRESS INJECTION MOLDED
PLASTIC SILICA AND SILICON IMPREGNATED.
2. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY
3. LEADFRAME PLATING: Sn/Pb SOLDER
4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].
5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.
6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.
7. ALL GROUND LEADS MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.
Drain Bias Voltage (Vdd)
+7.0 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vdd = +5.0 Vdc)
+10 dBm
Channel Temperature
150 °C
Continuous Pdiss (T = 85 °C)
(derate 6.25 mW/°C above 85 °C)
0.406 W
Thermal Resistance
(channel to lead)
160 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
v03.1103
Typical Supply Current vs. Vdd
Vdd (Vdc)
Idd (mA)
+2.5
49
+3.0
50
+3.5
51
+4.5
50
+5.0
53
+5.5
54
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PDF描述
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參數(shù)描述
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