參數(shù)資料
型號(hào)： HMC287MS8
廠商： 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER with AGC, 2.3 - 2.5 GHz
中文描述： 砷化鎵MMIC低噪聲放大器，自動(dòng)增益控制，2月3日至二月五日吉赫
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 217K
代理商： HMC287MS8
MICROWAVE CORPORATION
8 - 31
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A
8
HMC287MS8
v01.0701
Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Gain Control
GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER
with AGC, 2.3 - 2.5 GHz
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: LOW STRESS INJECTION MOLDED
PLASTIC SILICA AND SILICON IMPREGNATED.
2. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY
3. LEADFRAME PLATING: Sn/Pb SOLDER
4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].
5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.
6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.
7. ALL GROUND LEADS MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.
Drain Bias Voltage (Vdd)
+7.0 Vdc
Control Voltage Range (Vctl)
-0.2V to Vdd
RF Input Power (RFin)(Vdd = +3.0 Vdc)
0 dBm
Channel Temperature
150 °C
Continuous Pdiss (T = 85 °C)
(derate 5.62 mW/°C above 85 °C)
0.365 W
Thermal Resistance
(channel to lead)
178 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
Vctl (Vdc)
Gain State
Typical
Ictl (uA)
0.0
Maximum
25
1.5
Middle
25
Vdd
Minimum
25
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