參數(shù)資料
型號： HMC231G7
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPST SWITCH, DC - 6.0 GHz
中文描述： 砷化鎵微波單片集成電路聚苯乙烯表面貼裝高隔離開關(guān)，直流- 6.0吉赫
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： HMC231G7
MICROWAVE CORPORATION
14 - 84
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S
14
Truth Table
Absolute Maximum Ratings
Control Voltages
Outline Drawing
Control Input
Signal Path State
A
B
RF1 to RF2
High
Low
ON
Low
High
OFF
State
Bias Condition
Low
0 to -0.2V @ 10 uA Max.
High
-5V @ 10 uA Typ. to -7V @ 45 uA Typ.
RF Input Power (Vctl= -5V)
(0.5 - 6 GHz)
+30 dBm (@ +50 °C)
Control Voltage Range (A & B)
+1.0V to -7.5 Vdc
Channel Temperature
150 °C
Thermal Resistance (R
TH
)
(junction to lead)
94 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: WHITE ALUMINA 92%
2. CONDUCTOR TRACES MATERIAL: THICK FILM TUNGSTEN.
3. LEAD, BASE, COVER MATERIAL: KOVAR.
4. PLATING: ELECTROLYTIC GOLD 50 MICROINCHES MIN, OVER
ELECTROLYTIC NICKEL 50 MICROINCHES MIN.
5. ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].
6. TOLERANCES: .±005 [0.13] UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.
7. ALL GROUND LEADS AND GROUND PADDLE MUST BE SOLDERED
TO PCB RF GROUND.
Caution: Do not “Hot Switch” power levels greater than
+27 dBm (Vctl = 0/-5 Vdc).
HMC231G7
GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION
SPST SWITCH, DC - 6.0 GHz
v00.0803
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