參數(shù)資料
型號(hào)： HMC216MS8
廠商： 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： GaAs MMIC SMT DOUBLE-BALANCED FET MIXER, 1.3 - 2.5 GHz
中文描述： 砷化鎵微波單片集成電路貼片雙平衡FET混頻器，1.3 - 2.5吉赫
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 176K
代理商： HMC216MS8
MICROWAVE CORPORATION
12 - 56
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M
12
Input IP3 vs. Temperature
and Vgg for @ LO = +7 dBm
10
15
20
25
30
-1.6
-1.5
-1.3
-1.2
-1.1
-0.9
-0.8
T
GATE VOLTAGE (V)
+9 dBm
+5 dBm
+7 dBm
+11 dBm
v01.0801
HMC216MS8
Input IP2 vs. Temperature
and Vgg for @ LO = +7 dBm
Input IP3 vs. LO Drive and Vgg
MxN Spurious Outputs
Harmonics of LO
15
16
17
18
19
20
21
22
23
-1.6
-1.5
-1.3
-1.2
-1.1
-0.9
-0.8
T
GATE VOLTAGE (V)
-40C
+85C
+25C
20
25
30
35
40
45
50
55
60
-1.6
-1.5
-1.3
-1.2
-1.1
-0.9
-0.8
S
GATE VOLTAGE (V)
-40C
+85C
+25C
GaAs MMIC SMT DOUBLE-BALANCED
FET MIXER, 1.3 - 2.5 GHz
nLO
mRF
0
1
2
3
4
0
xx
-1
14
24
40
1
14
0
28
21
46
2
45
45
59
55
50
3
83
67
62
59
77
4
>105
>105
>105
85
96
RF = 1.975 GHz @ -10 dBm
LO = 1.8 GHz @ +7 dBm, Vgg = -1.2V
All values in dBc below IF power level (-1RF + 1LO).
LO Freq.
(GHz)
nLO Spur at RF Port
1
2
3
4
1.5
41
47
61
78
1.7
38
47
72
71
1.9
34
41
69
72
2.1
31
37
72
79
2.3
29
38
74
74
2.5
32
45
65
74
LO = +7 dBm, Vgg = 1.2V
Values in dBc below input LO level measured at the RF port.
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PDF描述
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