參數(shù)資料
型號(hào)： HMC182S14
廠商： 美國(guó)訊泰微波有限公司上海代表處
元件分類： FPGA
英文描述： 50000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
中文描述： 砷化鎵微波單片集成電路SP4T非反射開關(guān)，直流- 2.0吉赫
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： HMC182S14
MICROWAVE CORPORATION
14 - 28
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S
14
HMC182S14
v02.0404
GaAs MMIC SP4T NON-REFLECTIVE
SWITCH, DC - 2.0 GHz
Bias Voltage & Current
Control Voltages
Absolute Maximum Ratings
Truth Table
Outline Drawing
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: LOW STRESS INJECTION MOLDED
PLASTIC SILICA AND SILICON IMPREGNATED.
2. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY
3. LEADFRAME PLATING: Sn/Pb SOLDER
4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].
5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.
6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.
7. ALL GROUND LEADS MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.
Bias Voltage Range (Port Vee)
-7.0 Vdc
Control Voltage Range (A & B)
Vee -0.5V to +1.0 Vdc
Channel Temperature
150 °C
Thermal Resistance
(Insertion Loss Path)
123 °C/W
Thermal Resistance
(Terminated Path)
260 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
Maximum Input Power
+27 dBm (<500 MHz)
+30 dBm (>500 MHz)
Vee Range = -5.0 Vdc ± 10%
Vee
(Vdc)
Iee (Typ.)
(mA)
Iee (Max.)
(mA)
-5.0
4.0
7.0
Control Input
Signal Path State
A
B
RFCOM to:
High
High
RF1
Low
High
RF2
High
Low
RF3
Low
Low
RF4
State
Bias Condition
Low
0 to -3 VDC @ 70 uA Typ.
High
-5 to -4.2 VDC @ 5 uA Typ.
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PDF描述
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