參數(shù)資料
型號： HMBT8599
廠商： HSMC CORP.
英文描述： PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨外延平面晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： HMBT8599
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HMBT8599
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6811
Issued Date : 1997.12.31
Revised Date : 2002.10.25
Page No. : 1/3
HMBT8599
HSMC Product Specification
Description
Amplifier Transistor
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................... -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature.................................................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)............................................................................... 225 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
VCBO Collector to Base Voltage........................................................................................ -80 V
VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... -80 V
VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................. -5 V
IC Collector Current ...................................................................................................... -500 mA
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
VBE(on)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
Cob
Min.
-80
-80
5
-
-
-
-
-
-600
100
100
75
150
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
-100
-100
-100
-400
-300
-800
300
-
-
-
4.5
Unit
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
Test Conditions
IC=-100uA
IC=-10mA
IE=-10uA
VCB=-80V
VCE=-60V
VEB=-4V
IC=-100mA, IB=-5mA
IC=-100mA, IB=-10mA
VCE=-5V, IC=-10mA
VCE=-5V, IC=-1mA
VCE=-5V, IC=-10mA
VCE=-5V, IC=-100mA
VCE=-5V, IC=-10mA
VCB=-10V, f=1MHz
*Pulse Test: Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
pF
SOT-23
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PDF描述
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