參數(shù)資料
型號(hào)： HM5425801BTT-75B
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
中文描述： 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 51/65頁(yè)
文件大?。?/td> 489K
代理商： HM5425801BTT-75B
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
Data Sheet E0086H20
51
HM5425161B/HM5425801B/HM5425401B
-75A
-75B
-10
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Clock to the DQS first rising
edge for write delay
t
DQSS
0.72
1.28
0.72
1.28
0.75
1.25
t
CK
DQS falling edge to CLK setup
time
t
DSS
0.2
—
0.2
—
0.2
—
t
CK
DQS falling edge hold time to
CLK
t
DSH
0.2
—
0.2
—
0.2
—
t
CK
DQS high pulse width
(DQS write)
t
DQSH
0.35
—
0.35
—
0.35
—
t
CK
DQS low pulse width
(DQS write)
t
DQSL
0.35
—
0.35
—
0.35
—
t
CK
Input command and address
setup time
t
IS
0.9
—
0.9
—
1.1
—
ns
8
Input command and address
hold time
t
IH
0.9
—
0.9
—
1.1
—
ns
8
RAS to READ (with auto
precharge)
t
RAP
20
—
20
—
20
—
ns
Active command period
t
RC
t
RFC
65
—
65
—
70
—
ns
Auto refresh to active/Auto
refresh command cycle
75
—
75
—
80
—
ns
Active to Precharge command
period
t
RAS
45
120000 45
120000 50
120000 ns
Active to column command
period
t
RCD
20
—
20
—
20
—
ns
Write recovery time
t
WR
t
DAL
15
—
15
—
15
—
ns
Auto precharge write recovery
and precharge time
35
—
35
—
40
—
ns
Precharge to active command
period
t
RP
20
—
20
—
20
—
ns
Active to active command
period
t
RRD
15
—
15
—
15
—
ns
Average periodic refresh
interval
t
REF
—
7.8
—
7.8
—
7.8
μs
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PDF描述
HM5425401BTT-75B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
HM5425161B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM)
HM5425401B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM)
HM5425801B 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM)
HM6116LP-2 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM
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參數(shù)描述
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