- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370619 > HM5164405F (Hitachi,Ltd.) 64 M EDO DRAM (16-Mword ×4-bit)(64M EDO DRAM (16-M字 ×4-位)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5164405F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 M EDO DRAM (16-Mword ×4-bit)(64M EDO DRAM (16-M字 ×4-位)) |
| 中文描述： | 64米的江戶(hù)的DRAM（16 Mword × 4位）（6400 EDO公司的DRAM（16米字× 4 -位）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/35頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | HM5164405F |
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HM5164405F Series, HM5165405F Series
2
4 variations of refresh
RAS
-only refresh
CAS
-before-
RAS
refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
Battery backup operation (L-version)
Ordering Information
Type No.
Access time
Package
HM5164405FJ-5
HM5164405FJ-6
50 ns
60 ns
400-mil 32-pin plastic SOJ
(CP-32DC)
HM5164405FLJ-5
HM5164405FLJ-6
50 ns
60 ns
HM5165405FJ-5
HM5165405FJ-6
50 ns
60 ns
HM5165405FLJ-5
HM5165405FLJ-6
50 ns
60 ns
HM5164405FTT-5
HM5164405FTT-6
50 ns
60 ns
400-mil 32-pin plastic TSOP II
(TTP-32DC)
HM5164405FLTT-5
HM5164405FLTT-6
50 ns
60 ns
HM5165405FTT-5
HM5165405FTT-6
50 ns
60 ns
HM5165405FLTT-5
HM5165405FLTT-6
50 ns
60 ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5165405F | 64 M EDO DRAM (16-Mword ×4-bit)(64M EDO DRAM (16-M字 ×4-位)) |
| HM5164805FTT-5 | 64 MEDO DRAM (8-Mword X 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh |
| HM5165805FTT-5 | 64 MEDO DRAM (8-Mword X 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh |
| HM5164805FTT-6 | 64 MEDO DRAM (8-Mword X 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh |
| HM5164805FJ-5 | 64 MEDO DRAM (8-Mword X 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5165165FTT-60 | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| HM51680J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680J | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱(chēng):Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51680K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 3.3A AXL |
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