參數(shù)資料
型號(hào)： HM5117805TS-7
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh
中文描述： 2M X 8 EDO DRAM, 70 ns, PDSO28
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
文件頁數(shù)： 5/32頁
文件大小： 549K
代理商： HM5117805TS-7
EO rdc
HM5117805 Series
Data Sheet E0156H10
5
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–1.0 to +7.0
V
–1.0 to +7.0
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.0
W
Operating temperature
0 to +70
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
°C
Recommended DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70°C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Supply voltage
V
CC
V
IH
V
IL
4.5
5.0
5.5
V
1
Input high voltage
2.4
—
6.5
V
1
Input low voltage
Note:
1. All voltage referred to V
SS
.
–1.0
—
0.8
V
1
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PDF描述
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HM5118160BLJ-7 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory
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