參數(shù)資料
型號： HM5116100S-6
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh
中文描述： 1,600計劃生育的DRAM（16 Mword × 1位）4K的刷新
文件頁數(shù)： 8/24頁
文件大小： 217K
代理商： HM5116100S-6
HM5116100 Series
8
Read-Modify-Write Cycle
HM5116100
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
130
—
153
—
ns
60
—
70
—
ns
12
15
—
18
—
ns
12
30
—
35
—
ns
12
Refresh Cycle
HM5116100
-6
-7
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle)
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
WE
setup time (CBR refresh cycle)
WE
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
t
CSR
t
CHR
t
WRP
t
WRH
t
RPC
5
—
5
—
ns
10
—
10
—
ns
0
—
0
—
ns
10
—
10
—
ns
5
—
5
—
ns
Fast Page Mode Cycle
HM5116100
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Fast page mode cycle time
Fast page mode
RAS
pulse width
Access time from
CAS
precharge
RAS
hold time from
CAS
precharge
t
PC
t
RASP
t
CPA
t
CPRH
40
—
45
—
ns
—
100000 —
100000 ns
14
—
35
—
40
ns
7, 15, 17
35
—
40
—
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5116100S-7 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh
HM5117805J-5 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh
HM5117805J-6 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh
HM5117805J-7 16 M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2 k Refresh
HM5117805LJ-5 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HM5116100S-7 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh
HM5116100Z-10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HM5116100Z-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HM5116100Z-7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
HM5116100Z-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM
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