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參數(shù)資料
| 型號： | HM5116100 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| 中文描述： | 1,600計劃生育的DRAM（16 Mword × 1位）4K的刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 8/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | HM5116100 |
HM5116100 Series
8
Read-Modify-Write Cycle
HM5116100
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
130
—
153
—
ns
60
—
70
—
ns
12
15
—
18
—
ns
12
30
—
35
—
ns
12
Refresh Cycle
HM5116100
-6
-7
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle)
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
WE
setup time (CBR refresh cycle)
WE
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
t
CSR
t
CHR
t
WRP
t
WRH
t
RPC
5
—
5
—
ns
10
—
10
—
ns
0
—
0
—
ns
10
—
10
—
ns
5
—
5
—
ns
Fast Page Mode Cycle
HM5116100
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Fast page mode cycle time
Fast page mode
RAS
pulse width
Access time from
CAS
precharge
RAS
hold time from
CAS
precharge
t
PC
t
RASP
t
CPA
t
CPRH
40
—
45
—
ns
—
100000 —
100000 ns
14
—
35
—
40
ns
7, 15, 17
35
—
40
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-6 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-7 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5117805J-5 | 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh |
| HM5117805J-6 | 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5116100BS-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100BS-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100BS-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100J-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
| HM5116100J-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x1 Fast Page Mode DRAM |
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