參數(shù)資料
型號(hào)： HL1566AF
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 1.55 μm Laser Diode with EA Modulator(InGaAsP激光二極管)
中文描述： 1.55微米半導(dǎo)體激光器與EA調(diào)制器（InGaAsP的激光二極管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 25K
代理商： HL1566AF
HL1566AF
2
Absolute Maximum Ratings
(T
C
= 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
LD forward current
I
F
V
R(LD)
V
R(EA)
Topr
100
mA
Laser diode reverse voltage
2
V
Modulator reverse voltage
–5
V
Operating Temperature
10 to 40
°C
Storage temperature
Note:
1. without condensation
*1
Tstg
–40 to 85
°C
Optical and Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Threshold current
Ith
—
10
20
mA
Optical output power
P
O
ER
λ
p
3.5
—
—
mW
I
F(LD)
= 50 mA, V
R(EA)
= 0 V
I
F(LD)
= 50 mA, V
R(EA)
= 0/–2 V
2.5 Gbps (NRZ)
Extinction ratio
13
—
—
dB
Lasing wavelength
1530
1550
1570
nm
Side-mode suppression ratio Sr
30
40
—
dB
2.5 Gbps (NRZ)
Beam divergence (parallel)
θ
//
θ⊥
—
30
—
deg.
P
O
= 3.5 mW, FWHM
P
O
= 3.5 mW, FWHM
Beam divergence
(perpendicular)
—
40
—
deg.
Rise time
tr
—
—
80
ps
2.5 Gbps (NRZ)
Fall time
tr
—
—
80
ps
2.5 Gbps (NRZ)
Cutoff frequency
S
21
S
11
4
—
—
GHz
I
F(LD)
= 50 mA, V
R(EA)
= –1 V
I
= 50 mA, V
R(EA)
= –1 V,
f 2 3 GHz
RF return loss
10
—
—
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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