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參數(shù)資料
| 型號： | HI1-0507-2 |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁數(shù)： | 7/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MULTIPLEXER DUAL 8X1 28CDIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 143 |
| 功能： | 多路復(fù)用器 |
| 電路： | 2 x 8:1 |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 300 歐姆 |
| 電壓電源： | 雙電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | ±15V |
| 電流 - 電源： | 1.5mA |
| 工作溫度： | -55°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 28-CDIP（0.600"，15.24mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 28-CDIP |
| 包裝： | 管件 |
15
FN3142.8
October 30, 2007
Die Characteristics
METALLIZATION:
Type: CuAl
Thickness: 16k
±2k
SUBSTRATE POTENTIAL (NOTE):
-VSUPPLY
PASSIVATION:
Type: Nitride/Silox
Nitride Thickness: 3.5k
±1k
Silox Thickness: 12k
±2k
WORST CASE CURRENT DENSITY:
1.4 x 105 A/cm2
TRANSISTOR COUNT:
421
PROCESS:
CMOS-DI
NOTE: The substrate appears resistive to the -VSUPPLY terminal, therefore it may be left floating (Insulating Die Mount) or it may be mounted on a
conductor at -VSUPPLY potential.
Metallization Mask Layout
HI-506
HI-507
+V
IN 16
IN 15
IN 14
IN 13
IN 12
IN 11
IN 10
IN 9
GND
NC
A3
OUT
IN 8
IN 7
IN 6
IN 5
IN 3
IN 1
EN
A0 A1 A2
-V
IN 4
IN 2
+V
IN 8B
IN 7B
IN 6B
IN 5B
IN 4B
IN 3B
IN 2B
IN 1B
GND
OUT B
NC
OUT A
IN 8A
IN 7A
IN 6A
IN 5A
IN 3A
IN 1A
EN
A0 A1 A2
-V
IN 4A
IN 2A
HI-506, HI-507, HI-508, HI-509
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P80C32UFAA,518 | IC 80C51 MCU 8BIT ROMLESS 44PLCC |
| HI3-0507A-5Z | IC MULTIPLEXER DUAL 8X1 28DIP |
| P87LPC768FD,512 | IC 80C51 MCU 4K OTP 20-SOIC |
| HI1-5042-2 | IC SWITCH SPDT 16CDIP |
| NB4L858MFAR2G | IC CROSSPOINT SWITCH DUAL 32LQFP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HI1-0507-4 | 制造商:HARRIS 制造商全稱:HARRIS 功能描述:SINGLE 16 AND 8/ DIFFERENTIAL 8 CHANNEL AND 4 CHANNEL CMOS ANALOG MULTIPLEXERS |
| HI1-0507-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HI1-0507-7 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HI1-0507-8 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| HI105078N | 制造商:HAR 功能描述:HI1-0507-8N |
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