參數(shù)資料
型號： HGTG40N6
廠商： Harris Corporation
英文描述： 70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
中文描述： 第70A，600V的，的ufs系列N溝道IGBT的
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： HGTG40N6
9-7
HGTG40N60B3
FIGURE 13. OPERATING FREQUENCY AS A FUNCTION OF
COLLECTOR-EMITTER CURRENT
FIGURE 14. SWITCHING SAFE OPERATING AREA
FIGURE 15. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 16. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 17. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves
(Continued)
10
20
30
50
70
100
1
2
5
10
20
50
100
200
I
CE
, COLLECTOR-EMITTER CURRENT (A)
T
J
= +150
o
C, T
C
= +75
o
C, V
GE
= +15V, R
G
= 3
, L = 100
μ
H
f
M
,
f
MAX2
= (P
D
- P
C
)/(E
ON
+ E
OFF
)
P
D
= ALLOWABLE DISSIPATION
P
C
= CONDUCTION DISSIPATION
(DUTY FACTOR = 50%)
R
θ
JC
= 0.43
C/W
f
MAX1
= 0.05/(t
D(OFF)I
+ t
D(ON)I
)
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
0
100
200
300
400
500
600
0
40
80
120
160
200
T
C
= +150
o
C, V
GE
= 15V, R
G
= 3
, L = 45
μ
H
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.1
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
R
o
C
0.02
0.05
0.01
0.2
0.5
SINGLE PULSE
P
D
t
1
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR, D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
R
G
= 3
L = 100
μ
H
V
DD
= 480V
+
-
RHRP3060
t
FI
t
D(OFF)I
t
RI
t
D(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTG40N60B3 70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
HGTP12N60C3 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGT1S12N60C3 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGT1S12N60C3S 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTP12N60C3 24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
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參數(shù)描述
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HGTG40N60A4 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247
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HGTG40N60B3 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT IC
HGTG40N60B3_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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